Ryzen 7 3700X + G.Skill F4-3200C14D-16GFX でメモリ OC ファイナル

はじめに

　本当にメモリ OC はやってたら切りがない。
　細かいパラメータの違いが気になったり帯域がどうのレイテンシがーって。

　で、ある程度納得していたつもりだったけど、それでもとことん詰めて見たら結局の所 DRAM Calculator for Ryzen に表示されたタイミングに収束してしまった。
　なので Ryzen 7 3700X + G.Skill F4-3200C14D-16GFX に於いて、メモリの最終設定までの過程を 2~3 ステップでメモ。

メモリ OC 設定 – ファーストタイミング

　メモリ動作速度を DDR4-3733 とし、以下赤枠に示した tCL から tRC に tCWL と電圧設定、FCLK、procODT 以下、CAD_BUS 設定まで Profile version V1 の Calculate SAFE から拾ってくる。

メモリ OC 設定 – サブタイミング

　以下赤枠に示したファーストタイミングで入力した項目以外全て Calculate FAST をクリックして得られた値にする。

　追加設定として tWR が 12 となっているので tRTP を 6 にした方がいい。

MEMBench 結果

　自己ベストが 112 秒程度だった所を今回の最終的な設定にて 5 秒縮めた 107 秒と出た。
　Custom latency が下がったのは Power Down Enable の項目を Disable にした影響がかなり大きかった。

　AIDA64 のメモリベンチでは Read 56128MB/s に伸びた。

ストレステスト

　先ずは TestMem5 の 1usmus_v3 を 5cycle 実行でノーエラー。

　OCCT データセット大を 1 時間ぶっ続けてノーエラー。

　TestMem5 と OCCT が通ったので良しとしておく。
　ストレステスト時のメモリモジュール内温度センサーは TestMem5 で記録した 52.5 度が最高。OCCT では 52.0 度までの上昇に留まった為、単純なメモリへのストレス強度は TestMem5 の方が強いのかもしれない。

気になるところ

　UEFI より VDDCR SOC Voltage を Manual – Override にて 1.05V と設定しているのに、Ryzen Master を起動した時に表示される VDDCR SOC の電圧が 1.081 と表示されていること。
　反映されていないのかそれとも自動で盛られているのか良く分からないところ。 → Ryzen Master が拾ってくる数値が違うだけでしっかり設定値が反映されている。

　後はこの一点のみ気になっているが性能面でどうのこうのって物では無いから放置してもいいかなという所。

　以下 2019/11/07 追記

　UEFI より “AMD Overclocking” 以下にも存在する SoC 電圧設定を行うと Ryzen Master の SoC 電圧に反映されることを確認した。

　AMD Overclocking の設定項目は M/B 側の設定よりもより強い設定項目の様だ。

おわりに

　これで終わりと言い続けてダラダラ手を出してきたけどこれで本当に終われるハズ。
　MEMBench の結果も 110 秒切れたから十分だし、サブタイミングもこれ以上詰められそうな所は個人的に見つからない。

　もうちょっとメモリのパフォーマンスを上げたいならデュアルランクのメモリ 2 枚に切り替えて 32GB としてインターリーブの効果を得た方が良いのかも。
　メモリを変えると言うことは 1 から調整し直しが必要だから大変そうだけど将来的にはやって見たいなと思うところ。

追い打ちで。 (2019/10/31 23:40 追記)

• Trfc = 298 を tRC x6 した 288 に変更
• Trcdwr = 16 から 8 に変更

　として BIOS が POST してストレステスト通る様なら更にレイテンシを稼ぐ事が出来る。

　この設定にてやっと MEMBench で DDR4-3733 に於ける Best time まであと 0.16 秒という惜しいところまでスコアが伸びた。

　恐らくこの辺りまでが Samsung B-die で詰められる限界に近づいてきているかなと思われる。