セオリー通りに行う Ryzen 環境に於けるメモリオーバークロック方法

はじめに

　Zen2 な Ryzen を触るまでメモリのオーバークロックに関しては知識皆無だった物の、今現在ではある程度自分でチューニング出来る様になってきた。
　色々調べているうちにメモリの動作タイミングには関連性のある項目があり、そのセオリーに従ってチューニングしていくと幾らか楽になるし安定もしてくれる。バランスの良いチューニングができると言う事が分かった。

　そんなわけで筆者なりのメモリチューニング方法を書いてみようと思う。
　各パラメータの役割だとかそういう事は理解していないのでそこはご了承を。

　また、記事にする上で手持ちの Samsung B-Die と Micron R-Die を弄った時に調べた情報が多いので、やや隔たった内容になるかもしれないがご容赦を。

ファーストタイミング

tCL

　CAS Latency と呼ばれる物で、恐らくメモリといえば動作クロックの次に参照される位には大事なところ。
　設定値は任意。CL14～22 と幅広く設定される。
　GearDownMode が Enable の場合、tCL は偶数値に強制される。
　DDR4-3600～3800“ では CL16 を狙うのが無難な所

tRCDRD

　tRCDRD = tCL + 0～2 の設定がスタンダード
　Micron チップの場合、tRCDRD = tCL + 2～4 とした方が良い場合もある。

tRCDWR

　tRCDWR = tCL + 0～2 の設定がスタンダード

tRP

　tRP = tCL + 0～2 の設定がスタンダード

tRAS

　tRAS = tCL + tRCDRD + 0～2

tCR

　1T か 2T の 2 択となる。
　後述する GearDownMode が Enable でこの項目は無視されるが一応 1T を選んでおく。

サブタイミング

tRC

　tRC = tRP + tRAS + 0～2

tRRDS

　tRRDS は任意。4 でキツめ、6 以上は普通に通ることが多い

tRRDL

　tRRDL は任意。6 でキツめ、8 以上は普通に通ることが多い

tFAW

　tFAW = tRRDS x 4
　例えば tRRDS = 4 の時は tFAW = 4 x 4 = 16 になる。
　Micron チップでは tFAW = tRRDS x8~10 くらいに緩めないと起動すらしない場合もある。

tWTRS

　tWTRS は任意。4 でキツめ、6 以上は普通に通ることが多い

tWTRL

　tWTRL は任意。6 でキツめ、8 で少しキツい。10 以上は普通に通ることが多い

tWR

　tWR は任意。12 が多く使われる。緩めるときは 2 ずつ加算する。

tRFC

　tRFC = tRC x n となり、Samsung B-Die の場合 n は 6 が理想。キツければ 7 を代入して計算する。
　他のメモリチップの場合でも tRC の n 倍が通る箇所を模索すると吉。

　他のチップの場合、クロック数直ではなく時間から逆算する形でクロック数を設定するとチューニングしやすい。
　最初は 350ns 程度から 300ns 前後を目標に詰めていく感じに。

　以下の式で tRFC を求める。

　また、設定値を小さくするほど短時間でリフレッシュしなければならなくなる為、VDIMM の要求電圧も上がってくるから要注意。

tRFC2 / tRFC4

　Ryzen では使用されない項目なので適当で良いが、念のため以下の様に計算しておくと気持ちが良い。
　tRFC2 = tRFC / 1.346
　tRFC4 = tRFC2 / 1.625

tRDRDSCL

　tRDRDSCL = 4～5
　選別された Samsung B-die では tRDRDSCL = 2 まで通ることもあるのでチューニング終盤で詰めて見るのも良い。

tWRWRSCL

　tWRWRSCL = tRDRDSCL

　tRDRDSCL と tWRWRSCL は 5 よりも大きな値にするとメモリの帯域が落ちてくるので、5 が最終防衛ラインみたいなところがある。

tCWL

　tCWL = tCL
　GearDownMode が Enable だと tCL と同値に強制されるので設定する意味が無くなるが入力だけはしておこう。

tRTP

　tRTP = tWR / 2

tRDWR

　tRDWR は 8 でキツめ。10 以上で通ることが多い

tWRRD

　tWRRD は 2 でキツめ。4 以上なら通ることが多い

tRDRDSC

　tRDRDSC = 1 がメジャー
　※ Single-Rank 4 枚か Dual-Rank 2 枚以上の構成で有効な項目

tRDRDSD

　tRDRDSD = 4～5 がメジャー
　※ Single-Rank 4 枚か Dual-Rank 2 枚以上の構成で有効な項目

tRDRDDD

　tRDRDDD = tRDRDSD
　※ Single-Rank 4 枚か Dual-Rank 2 枚以上の構成で有効な項目

tWRWRSC

　tWRWRSC = 1 がメジャー
　※ Single-Rank 4 枚か Dual-Rank 2 枚以上の構成で有効な項目

tWRWRSD

　tWRWRSD = 6～7 がメジャー
　※ Single-Rank 4 枚か Dual-Rank 2 枚以上の構成で有効な項目

tWRWRDD

　tWRWRDD = tWRWRSD
　※ Single-Rank 4 枚か Dual-Rank 2 枚以上の構成で有効な項目

tCKE

　tCKE は PowerDown が Disable だと無意味になるが、適当に 1 などと入れておく。

動作モード

GearDownMode

　GearDownMode = Enable で安定した動作が得られるが tCR の設定値が無視される事と、tCL が偶数値に強制され、tCWL = tCL が強制される。高クロックを目指す場合は Enable とした方が良い。
　GearDownMode = Disable で tCR の設定値が生きるので 1T とすると高速化を図れる。しかし、高クロックになるほど安定した動作が非常に難しくなる。

PowerDownEnable

　PowerDownEnable = Disable
　メモリをオーバークロックするのであれば省電力機能である PowerDownEnable は Disable にしておこう。これにより tCKE の設定値は無意味になる。

電圧や抵抗値など

　VDIMM や VSoC と言った電圧は Ryzen DRAM Calculator に示される「Rec.」(いわゆるオススメ)の項を設定するのが無難。
　ProcODT 等の抵抗値は最適値を探す方法がとても 面倒臭いので、これまた Ryzen DRAM Calculator 任せにしているが問題が起きたことも無いので大丈夫だろうと思われる。

設定例

　本記事で書いたセオリー通りなチューニングを行った結果が上記スクリーンショットの通りになる。
　これ以上設定値を下げると起動しなくなるので、筆者が使用するメモリの限界まで詰め切った状態だ。

設定後の安定性確認

　いわゆるメモリのストレステストが必要になってくる。
　これは以前書いた記事を参照して頂ければ幸い。

Zen2 環境に於けるメモリテスト各種とその必要性

当記事の内容は Zen2 のみならず、Zen3 でも変わらず有効。はじめにZen2 (Ryzen 5/7/9 3xxx) 環境においてメモリは初代 Zen や二代目 Zen+ よりも大分相性的な何かが...

bucci.bp7.org

2021.04.09 - 15:39

おわりに

　メモリを詰めるときや緩める時は必ず連動する項目も合わせて調整して上げることでバランスの取れたセッティングになると思われる。
　もちろん型破りにしたチューニングも良いだろうけど最初はセオリー通りにやっていくことをオススメしたい。
　また、メモリモジュールに採用されているチップ次第では設定の通る通らないの値が変わってくるので、そこは根気よく最適値を探していこう。

参考リンク

　以下、筆者がメモリチューニングを行う為に参照したサイトをペタリ。

Overclock Odyssey

Read all of the posts by Overclock Odyssey on Overclock Odyssey

overclockodysseyhome.wordpress.com

AMD Ryzen Memory Tweaking & Overclocking Guide

Memory overclocking has a significant impact on performance of AMD Ryzen-powered machines, but the a...

www.techpowerup.com

ニコニコチャンネル

すべてのクリエイターのために。ニコニコチャンネルはクリエイターがもつ全ての価値を活かせるマルチコンテンツプラットフォ...

ch.nicovideo.jp